LAZIN LODAS? – CI8
應(yīng)用領(lǐng)域：
電子裝配
半導(dǎo)體
SiC 單晶晶圓和 EPI 晶圓都可以檢查。
不僅是表面缺陷，內(nèi)部缺陷和背面缺陷也同時(shí)檢查。
主要優(yōu)點(diǎn)
主要優(yōu)點(diǎn)
有助于缺陷分析的 4 種 Review 圖像。
“AI Classify”進(jìn)行缺陷分類、好壞判定。
免維護(hù)。
世界首次！使用反射散射光、透射散射光、共聚焦光的混合檢查裝置。
能檢出至今為止檢查不出的缺陷。
檢出缺陷：顆粒、劃痕、結(jié)晶缺陷。
規(guī)格：
檢查激光：405nm 200mW
檢查時(shí)間：200sec（尺寸：4 英寸）
檢查對(duì)象：2 英寸、3 英寸、4 英寸、6 英寸
設(shè)備尺寸：WxDxH＝450x500x730mm